新器件采用更新的BiCS FLASH 3D闪存，提高了读写性能
东京--(美国商业资讯)--全球内存解决方案领先企业Kioxia Corporation今天宣布，推出适用于消费类应用的嵌入式高性能全新闪存产品样品[1] ，此产品兼容5.1版JEDEC e-MMC[2]。该新产品将公司较新版本的BiCS FLASH™ 3D闪存[3] 和控制器集成在单个封装中，减少了处理器工作负载并提高了易用性。 64GB和128GB产品都将上市。
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尽管市场不断转向UFS[4]，但在某些情况下仍然可以使用e-MMC。这包括具有中端存储要求的消费产品，例如平板电脑、个人电脑、销售点设备和其他便携式手持设备，以及智能电视和智能网卡。 Kioxia通过提供广泛的高性能产品系列并扩展这些应用的可用选项，不断巩固其市场领先地位。与上一代器件相比，新款Kioxia器件将顺序和随机写入性能提高了约2.5倍，将随机读取性能提高了约2.7倍[3]。此外，与上一代设备相比，写入总字节 (TBW) [5]提高了约3.3倍，与整个e-MMC区域的增强区域设置[6]相对应。
Kioxia目前正在为其下一代e-MMC设备提供样品，预计将于2024年春季实现量产。
注：
[1]: 该公司的最新器件支持两种容量：64 GB和128 GB。 64 GB器件的样品已于本月开始发货，128 GB器件计划于10月后发货。样品的规格可能与商业产品不同。
[2]: e-MMC（嵌入式多媒体卡）：JEDEC定义的嵌入式闪存标准规范之一。新产品支持命令队列和安全写保护功能，这些功能在5.1版JEDEC中指定为选配。
[3]: 与Kioxia的上一代器件“THGAMSG9T24BAIL”、“THGAMST0T24BAIL”相比。
[4]: 通用闪存存储 (UFS) 是根据JEDEC UFS标准规范构建的嵌入式内存产品类别。由于采用串行接口，UFS支持全双工，从而实现主机处理器和UFS设备之间的并发读写。
[5]: TBW（或Terabytes Written，写入总字节）衡量驱动器在其使用寿命内预计可以完成的累积写入次数。
[6]: 如果设置了增强区域，则可配置的消费者可用总容量将会减少。
读取、写入速度和TBW是在Kioxia特定测试环境中获得的最佳值，并且Kioxia不保证单个器件的读取或写入速度或TBW。读取、写入速度和TBW可能会有所不同，具体取决于所使用器件以及读取或写入的文件大小。
每次提及Kioxia产品时： 产品密度是根据产品内内存芯片的密度来确定的，而不是最终用户可用于数据存储的内存容量。由于开销数据区域、格式化、坏块和其他限制，消费者可用容量将会减少，并且还可能因主机设备和应用程序而异。详情请参阅适用的产品规格。 1KB的定义 = 2^10 字节 = 1,024 字节。 1Gb的定义 = 2^30 位 = 1,073,741,824 位。 1GB 的定义 = 2^30 字节 = 1,073,741,824 字节。 1Tb = 2^40 位 = 1,099,511,627,776 位。
公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。
关于Kioxia
Kioxia是全球领先的存储解决方案提供商，致力于开发、生产和销售闪存和固态硬盘(SSD)。在2017年4月，Kioxia的前身Toshiba Memory从Toshiba Corporation中独立出来。Toshiba Corporation是于1987年发明NAND闪存的公司。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia的创新3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造高密度应用领域的存储未来，包括先进的智能手机、个人电脑、固态硬盘(SSD)、汽车和数据中心等领域。
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Kioxia：e-MMC 5.1嵌入式闪存器件（照片：美国商业资讯）
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