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-采用尖端的15纳米工艺NAND闪存芯片-
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布推出全球最小级别 [1]嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的eMMCTM[2]标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动，8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。
新产品在单一封装内整合了采用东芝新一代先进的15纳米工艺技术制造的NAND芯片，以及用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。
与同类东芝产品相比[4]，通过采用15纳米NAND芯片，封装面积缩小了约26%[3]。由于改进了基本芯片性能，优化了控制器，这些产品还提供更快的读/写速度。读取速度提高约8%（最大值），而写入速度提高将近20%（最大值）。
市场对于能够支持智能手机、平板电脑等应用的NAND闪存的需求继续增长。带控制器的嵌入式内存尤其供不应求，因为此类内存的开发要求最低，且易于整合到系统设计中。东芝正通过增强其高性能和高密度内存产品阵容来满足这种需求，并将继续占据市场领导地位。
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新产品阵容
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产品名称
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容量
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类别
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封装
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量产
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THGBMFG6C1LBAIL
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8GB
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顶级
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1.5x13x0.8mm
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2015第二季度（4月-6月）
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THGBMFG6C1LBAIT
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8GB
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顶级
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11x10x0.8mm
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2015第二季度（4月-6月）
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THGBMFG7C2LBAIL
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16GB
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顶级
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11.5x13x0.8mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG7C2LBAIW
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16GB
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顶级
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11x10x1.0mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG7C1LBAIL
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16GB
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高端
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11.5x13x0.8mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG8C4LBAIR
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32GB
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顶级
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11.5x13x1.0mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG8C4LBAIW
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32GB
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顶级
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11x10x1.0mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG8C2LBAIL
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32GB
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高端
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11.5x13x0.8mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG9C8LBAIG
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64GB
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顶级
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11.5x13x1.2mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG9C8LBAIX
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64GB
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顶级
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11x10x1.2mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFG9C4LBAIR
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64GB
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高端
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11.5x13x1.0mm
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2015第一季度（1月-3月）
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THGBMFT0CBLBAIS
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128GB
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顶级
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11.5x13x1.4mm
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2015第二季度（4月-6月）
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*在东芝的eMMCTM类别中，“顶级”(Supreme)代表适用于高 |
