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　　扬杰科技:碳化硅半导体业务将成爆发点

　　类别：公司研究 机构：联讯证券股份有限公司 研究员：丁思德 日期：2015-05-29

　　1、半导体分立器件产品领先供应商。公司业务主要包括分立器件芯片、功率二极管、整流桥等分立器件产品,产品类型覆盖半导体分立器件芯片、功率二极管、整流桥等共50多个系列,1500余种具体产品。产品主要应用于消费类电子、汽车电子、智能电网、光伏、LED、通讯等领域。

　　凭借先进的技术和高品质产品,公司积累了大量优质客户,包括人和光伏、台达电源、云意电气、美的制冷设备等直接客户,以及上海荣威、长安福特、美的、海信、飞利浦、国家电网、南方电网等多行业的间接终端客户。海外市场方面,产品远销韩国、台湾、德国、美国、印度、俄罗斯、意大利、日本等20多个国家和地区。

　　2、积极布局碳化硅(SiC)等第三代半导体功率器件。2015年3月,公司与西安电子科技大学(“西电”)签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作。西电拥有宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,郝跃院士研究团队在国内此领域的领军团队,近年来攻克多项国际国内第三代功率器件技术难题,为未来产品化做出多项实质性贡献。

　　2015年4月28日,公司通过增资和股权转让方式取得国宇电子38.87%股权,与中国电子科技集团公司第五十五研究所在碳化硅芯片和模块产品方面建立紧密合作关系。五十五所自建所五十年来,取得科研成果3000多项,其中获国家级奖项60多项,省、部级以上奖项560多项。先后为中国首次载人交会对接任务天宫一号、神舟九号和长征二号F研制配套做出贡献。预计未来有望以扬杰科技为平台、以国宇电子为纽带展开一系列资本运作。

　　3、碳化硅半导体时代来临。随着电子产品的迅速发展,常规的硅半导体、砷化镓等器件越来越无法满足高温、热导率、抗辐射性等需求。以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的宽带隙半导体材料由于具备禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特性,使其在光电器件、高频大功率器件等方面倍受青睐,被誉为前景广阔的第三代半导体材料。尤其碳化硅器件可以再200摄氏度的高温环境下工作。与IGBT、硅器件相比,碳化硅器件具有更高的电流密度、更低的功率损耗,碳化硅器件能够提高电源转化效率。未来有望在功率器件领域实现对硅的迅速替代,碳化硅半导体时代已然来临。

　　碳化硅未被行业广泛应用的原因主要在于单晶制备难度大、成本高。单晶生长技术和薄膜生长技术的不断突破和发展,目前美国科锐(Cree)已经能够制备出6.0英寸的晶片,预计2016年将上升致8.0英寸。国内目前最先进的工艺能够达到4.0英寸。碳化硅器件新增应用领域将主要集中在LED、新能源汽车、轨道交通、智能电网等行业。研究机构IHSIMSResearch预测,SiC和GaN半导体市场未来10年平均增速将达到18%;YoleDeveloppement对SiC器件市场更为乐观,预测将保持38%的年增长率。随着国际电子产业继续向国内转移,我国半导体技术工艺逐步提升,行业面临较大的成长空间。但是我国分立器件集中度偏低、企业规模普遍较小,未来随着资本市场的不断成熟,行业内横向并购将会迎来一个高潮。

　　4、盈利预测及评级。公司收入平均年增长率保持在30%以上,主要受益于功率二极管和分立器件芯片。考虑到公司在碳化硅领域的强势布局,碳化硅业务将成公司新业绩增长点。预计公司2015-2017年净利润增速分别为39%、40%和39%,EPS分别为0.93、1.31和1.82元,上一交易日收盘股价对应PE分别为71、50和36倍;考虑到公司碳化硅领域超预期的可能较大,给予公司“增持”评级。

　　5、风险提示:1)碳化硅器件遭遇技术难题;2)下游应用领域认证周期变长;3)系统性风险。